电流脉冲碳化硅
2023-03-07T18:03:16+00:00
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更
26 Jan 2022 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（sic）mosfet双模块“mg600q2yms3”和“mg400v2yms3”：前者额定电压为1200v，额 触的设计，可以将浪涌电流能力提高2~4 倍[7]。通 过设计以及工艺上的改进[8]，各厂家二极管的浪涌 能力普遍达到额定电流的10 倍以上。而Infineon 通过元胞优化，其浪涌电流密 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 知乎
引言：碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅元器件的效果 利用双脉冲电路测试SiC MOSFET开关特性 ，续 流 二 极 管 选 取 SiC 肖 特 基 二 极 管 SCS210KE2，电 感取 05 mH，Rg为驱动电阻。双脉冲驱动波形如图 5（a）所示，T1 SiC MOSFET特性分析及应用 知乎 知乎专栏
案例分享第四期：碳化硅SiC切割 知乎 知乎专栏
碳化硅SiC材料特性 碳化硅SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。 C原子和Si原子不同的结合方式使SiC拥有多种晶格结构，如4H,6H,3C等 碳化硅压箱底系列4：CoolSiC™ MOSFET的抗短路能力 ，器件在被施加满（DC总线）电压的同时，也被施加由负载阻抗和半导体的输出特性定义的电流。 有时会出现类似这 碳化硅压箱底系列4：CoolSiC™ MOSFET的抗短路能力
碳化硅MOS管驱动电路的设计（后文基于分立元件） 知乎
在SiC开关过程对驱动电路的要求，需要对驱动电压、栅极电阻、桥臂串扰抑制和短路电流保护等问题进行设计。 与Si MOSFET有较大区别的是，当SiC MOSFET的驱动电压达 摘要由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。 由于利用该功率模块设计的SiC逆变器实际工作 大电流下SiC MOSFET功率模块的驱动器研究 知乎
碳化硅功率器件（SiC）在电力电子产品中的应用！国晶
碳化硅肖特基二极管 工作温度和热设计！ 热设计在电力电子系统中起着关键作用，以确保高功率密度，从而使生产更紧凑的系统。在高电流下，硅肖特基二极管容易产生过多的热 14 Apr 2020 开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。 一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路 测试SiC开关特性，波形振荡很严重，该怎么办？ 知乎