碳化硅制粉设备
2023-03-15T19:03:29+00:00
碳化硅 ~ 制备难点 知乎 知乎专栏
碳化硅器件制备过程中相对特殊的设备或要求：需使用分步投影光刻机、专用的碳化硅外延炉、高温离子注入机、高温退火和高温 氧化设备；干法刻蚀设备需更高的刻蚀功率； 器件封装过程中的减薄机需针对碳化硅材料脆硬特性改进；划片机需针对碳化硅导热性好的特点使用激光隐形划切方法。技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎 知乎专栏
高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述
24 Mar 2020 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。 当前国外主要厂商包括Cree、Aymont等，合成粉体纯度可达999995％。31 Oct 2022 碳化硅粉 (siliconcarbide，sic)由于具有高强度、高硬度、耐腐蚀、抗高温氧化性、低热膨胀系数等优越特性，常用于制成碳化硅陶瓷广泛应用于冶金、机械、石油、化工、微电子、航空航天、钢铁、汽车等领域。 但由于碳化硅的强共价键性 (共价键成分占88％)导 碳化硅粉 知乎 知乎专栏
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义 作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异 24 Mar 2023 生产碳化硅设备 碳化硅微粉是太阳能晶硅片、半导体理想的线切割刃料，但其生产过程中对工艺控制的要求很高。制粉是碳化硅微粉生产中的重要工序，但由于碳化硅的硬度较高，其莫氏硬度为95级，在莫氏硬度标准中仅低于金刚石，因此其生产加工并不容易。碳化硅生产设备说明 学粉体